Jak trh s elektromobily (EV) nadále rychle roste, PTC ohřívače se stávají stále důležitější součástí, rostou také nároky na jejich testovací standardy.

Minimalizace spínaných ztrát zůstává hlavní výzvou pro vývojáře výkonových polovodičových součástek na bázi SiC a GaN. Standardní metodou pro měření spínaných parametrů a hodnocení dynamického chování tranzistorů Si, SiC a GaN MOSFET a IGBT je dvojitý pulzní test.

Měření zemního odporu je zásadní pro ověření správné funkce uzemňovacích systémů po instalaci i během pravidelné údržby. Přečtěte si, jak zabezpečit měření v extrémních podmínkách.